多位相变化存储器阵列及多位相变化存储器

摘要

一种多位相变化存储器阵列，该多位相变化存储器阵列包括多个多位相变化存储器，每一多位相变化存储器包括第一位线与第二位线、第一相变化材料层、第二相变化材料层以及开关元件，该第一相变化材料层耦接于该第一位线与该第二位线之间，该第二相变化材料层耦接至源极线，该开关元件通过其源/漏极耦接于该第一相变化材料层与该第二相变化材料层之间，且其栅极耦接至字线，其中，该第一相变化材料层与该第二相变化材料层有不同的非晶化态电阻值，以及不同的非晶化态电流。