法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-07-25
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/35 授权公告日:20100519 终止日期:20110525 申请日:20070525
专利权的终止
2010-05-19
授权
授权
2009-01-21
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-11-26
公开
公开
机译: 移动磁体组件以提高矩形磁控溅射靶的利用率
机译: 移动磁体组件以提高矩形磁控溅射靶的利用率
机译: 透明基材,多层玻璃,玻璃和平面或管状磁控溅射靶