用于使用多重门极层制造逻辑元件的技术

摘要

本发明阐述多种技术，该些技术在设计及制造用于半导体器件的各种逻辑元件中使用多重多晶硅层。根据本发明的一具体实施例，通过使用多重多晶硅层制造各种晶体管门极即可减小逻辑门单元尺寸及存储器阵列单元尺寸。本发明的使用多重多晶硅层来形成逻辑元件的晶体管门极的技术会在精调诸如氧化物厚度、阈电压、最大容许门极电压等晶体管参数方面上提供额外的自由度。