具有改善出光率的LED芯片及其制作工艺

摘要

本发明介绍了具有改善出光率的LED芯片及其制作工艺。根据本发明，具有第一导电类型的第一半导体材料层、活性发光层、第二导电类型的第二半导体材料层、以及分别设置于第一和第二半导体材料层上的第一和第二电极构成了LED芯片。其中，第二电极由透明电极和位于透明电极局部的第一加厚电极组成，而第一电极处在LED芯片的非几何边缘位置，并且被所述透明电极所环绕。