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氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法及氮化镓系化合物半导体激光元件

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本发明所述氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法，其特征在于，作为氮化镓衬底的结晶面，使用在(0001)Ga面的<1-100>方向上以绝对值倾斜0.16度以上5.0度以下的面，或者使用将向(0001)Ga面的<1-100>方向的偏离角度作为A、向(0001)Ga面的<11-20>方向的偏离角度作为B时(A

著录项

公开/公告号CN101147303B

专利类型发明专利
公开/公告日2010-05-19

原文格式PDF
申请/专利权人三洋电机株式会社;鸟取三洋电机株式会社;
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申请/专利号CN200680009593.1
发明设计人松下保彦;中泽崇一;
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申请日2006-03-31
分类号
代理机构隆天国际知识产权代理有限公司;
代理人高龙鑫
地址日本大阪府
入库时间 2022-08-23 09:04:19

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-05-20

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S 5/343 授权公告日:20100519 终止日期:20140331 申请日:20060331

专利权的终止
2010-05-19

授权

授权
2008-05-14

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-03-19

公开

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