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磁阻效应元件、磁性存储单元和磁性存储器件

摘要

提供一种可有效地利用由流过导线的电流所形成的磁场稳定地进行信息的写入、而且可以稳定地保持所写入的信息的磁性存储器件。备有对应于写入比特线(5)和写入字线(6)的交叉的区域配置、构成为包围它们的周围的一部分或全部的磁轭(4),和含有磁化方向因外界磁场而变化的第2磁性层(8)、与磁轭(4)磁连接的叠层体(S20),由于第2磁性层(8)具有大于磁轭(4)的保磁力,磁轭(4)具有越接近第2磁性层(8)越大的保磁力,所以可以抑制磁轭(4)的残留磁化产生的影响,可以稳定地保持第2磁性层(8)的磁化方向。

著录项

  • 公开/公告号CN1591674B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-05-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TDK株式会社;

    申请/专利号CN200410068661.4

  • 发明设计人 羽立等;

    申请日2004-09-03

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人张天安

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:04:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-17

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 11/15 授权公告日:20100526 终止日期:20170903 申请日:20040903

    专利权的终止

  • 2010-05-26

    授权

    授权

  • 2010-05-26

    授权

    授权

  • 2005-05-11

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-05-11

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-03-09

    公开

    公开

  • 2005-03-09

    公开

    公开

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