带反向放大作用的吸收二极管器件结构及制造方法

摘要

本发明公开了带反向放大作用的吸收二极管器件结构及制造方法。带反向放大作用的吸收二极管器件结构，包括重型掺磷衬底，重型掺磷衬底上方设有高阻区，高阻区的中间靠近外部区域开环形槽，环形槽作为形成结终端延伸区的终端区窗口；高阻区还开设有窄环形窗口，终端区窗口的内侧与窄环形窗口相邻设置；窄环形窗口填充有P形填充层；高阻区的正中间开设有P形掺杂区窗口，P形掺杂区窗口形成P型掺杂区；窄环形窗口与P型掺杂区存有间隙；P型掺杂区的内部以及高阻区的边缘开设N形掺杂区窗口，形成有源区N+型掺杂区和终端保护区；还包括短接P型掺杂区与N+型掺杂区的上层金属层，上层金属层覆盖在高阻区的上方。提高了芯片适应能力。