公开/公告号CN100592478C
专利类型发明授权
公开/公告日2010-02-24
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申请/专利权人 株式会社半导体能源研究所;
申请/专利号CN200480035952.1
申请日2004-11-30
分类号H01L21/336(20060101);G02F1/1368(20060101);G09F9/30(20060101);H01L21/288(20060101);H01L21/3205(20060101);H01L29/786(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人张雪梅;刘宗杰
地址 日本神奈川县厚木市
入库时间 2022-08-23 09:04:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-02-24
授权
授权
2007-02-28
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-01-03
公开
公开
机译: 薄膜半导体器件,薄膜半导体器件制造方法,液晶显示器件,液晶显示器件制造方法,电子器件,电子器件制造方法以及薄膜半导体器件,液晶显示器,液晶显示器的制造工艺,电子设备。电子设备的制造工艺和薄膜沉积工艺)
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