法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-06-13
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/306 授权公告日:20100428 终止日期:20110405 申请日:20040405
专利权的终止
2010-04-28
授权
授权
2005-12-07
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-10-12
公开
公开
机译: 升高的源/漏SOI晶体管,以及使用超薄SOI(绝缘体上硅)衬底的CMOS器件及其制造方法
机译: 纳米级超薄膜介电体,其制造方法和纳米级超薄膜介电体
机译: 制备纳米级沟槽的方法,涉及在衬底上制备纳米线,其中衬底和纳米线上涂覆有材料层,并且在牺牲层上施加一定厚度的光刻胶层