The University of Arizona.;
机译:工艺和背栅偏置条件对绝缘体上超薄埋氧化硅nMOSFET低频噪声的影响
机译:TEOS / PDMS衍生的碳氧化硅材料中加工条件的影响。第1部分:显微组织和性能
机译:半霍斯勒合金的加工条件,微观结构和电荷传输之间的相关性
机译:使用互补表征方法洞察不同热喷涂过程的喷涂条件,微观结构和性能及其统计相关性
机译:快速凝固处理的铁铝硅合金的微观结构性能相关性。
机译:扩散张量成像揭示了与听觉处理能力的白质微结构相关性
机译:注入氧的超薄绝缘体上硅材料的微观结构与加工条件的相关性
机译:ZmR(区域熔化 - 再结晶)和sImOX(氧注入)sOI(绝缘体上硅)mOsFET中的栅极氧化物泄漏和电荷俘获的研究