一种可改善负温度不稳定性的PMOS管制作方法

摘要

本发明提供了一种可改善负温度不稳定性的PMOS管制作方法。现有技术中在制作氮化硅刻蚀停止层时采用较高的温度和较大流量的氮气致使在氮化硅中形成的氢硅键较少，如此界面上的氢易于扩散，从而使PMOS管因受NBTI影响而出现Vt漂移较大和Idsat较大的现象。本发明的PMOS管制作方法先进行阱注入；再制作栅极绝缘层、栅极和轻掺杂漏结构；然后制作栅极侧墙和源漏极；接着制作氮化硅刻蚀停止层，其中，氮气的流量范围为0至10标准状态毫升/分，沉积温度范围为390至410摄氏度；之后制作金属前介质，并依据氮化硅刻蚀停止层制作接触孔；最后制作金属插塞和金属层。通过本发明的方法可显著改善PMOS管的负温度不稳定性，可使PMOS的Vt漂移和Idsat相应减小。