流化床直接制取氮化硅的装置及其方法

摘要

本发明公开了一种流化床直接制取氮化硅的装置及其方法。本发明依据流化床中气固反应强烈、传热传质好，温度均匀的特点，在温度为1000℃-1650℃的高温流化床中直接氮化硅粉，连续生产氮化硅粉体。参加反应的硅粉颗粒采用直径小于10μm的硅粉烧结成平均直径为300-500μm的硅粉，通过给料装置连续进入流化床中。流化气体采用体积比为10％-100％的氮气，0-60％的氢气，与氩气平衡。为使硅粉流化床稳定流化，采用声强方式进行强化。这样不仅能够产生质高且均匀的氮化硅粉体，而且还能大大提高氮化效率，为氮化硅提供新的制取工艺，具有广泛工业应用前景。