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公开/公告号CN113917712B
专利类型发明专利
公开/公告日2023.05.16
原文格式PDF
申请/专利权人 北京邮电大学;武汉光迅科技股份有限公司;
申请/专利号CN202111210037.3
发明设计人 李梦媛;何晓颖;忻向军;饶岚;李欣国;孙莉萍;
申请日2021.10.18
分类号G02F1/01(2006.01);G02F1/035(2006.01);
代理机构
代理人
地址 100876 北京市海淀区西土城路10号
入库时间 2023-06-26 18:42:11
机译: 制备铌酸锂薄膜的铌酸锂前驱体颗粒,其制备方法,制备铌酸锂薄膜的铌酸锂前驱体溶液和制备铌酸锂薄膜的方法
机译: 作为电光调制器,铌酸锂空电光调制器具有掺杂半导体-金属接触断路器极板偏置电极
机译: 一种由此在压力下调节铌酸锂或铌酸锂或钽酸锂的方法。钽酸锂-结构
机译:质子交换锂铌酸锂的电光(EO)效应:朝向EO调制器
机译:脱硼锂锂铌酸盐锂铌酸盐的光折花和热电电光效应的影响
机译:质子交换铌酸锂中的电光(EO)效应:对EO调制器的影响
机译:单边带薄膜铌酸锂(TFLN™)电光调制器,用于光纤上的射频
机译:使用铌酸锂中的电光效应的光学频率调制器。
机译:紧凑型光纤集成铌酸锂纳米波导中模式混合和非线性模式介导的高效宽带二次谐波产生
机译:研究,制造和表征铌酸锂中高形状因子的光子晶体,以实现超紧凑型电光调制器
机译:大口径光学调制器材料。锆钛酸铅镧陶瓷和铌酸锂晶体显示用作调制器材料具有高达6英寸的孔径光发射机。