一种基于铌酸锂厚膜的高速电光调制器及其制备方法

摘要

本发明涉及集成光学领域，特别涉及一种基于铌酸锂厚膜的高速电光调制器及其制备方法，所述调制器包括支撑衬底、键合层、光波导和调制电极，所述光波导位于键合层表面，且键合层上设置有一层铌酸锂厚膜；铌酸锂厚膜的厚度为8～20微米；本发明厚膜型铌酸锂的10微米左右的脊高使得调制效率可以提升60％以上且本发明的衬底因为减薄技术仅有8～20微米，可以避免该谐振效应进一步实现高速宽带；而相比薄膜型波导的铌酸锂调制器，本发明又具有扩散型光波导低传输损耗和低耦合损耗的优点。