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公开/公告号CN113917712A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-11
原文格式PDF
申请/专利权人 北京邮电大学;武汉光迅科技股份有限公司;
申请/专利号CN202111210037.3
发明设计人 李梦媛;何晓颖;忻向军;饶岚;李欣国;孙莉萍;
申请日2021-10-18
分类号G02F1/01(20060101);G02F1/035(20060101);
代理机构
代理人
地址 100876 北京市海淀区西土城路10号
入库时间 2023-06-19 13:52:41
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-22
实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/01 专利申请号:2021112100373 申请日:20211018
实质审查的生效
机译: 作为电光调制器,铌酸锂空电光调制器具有掺杂半导体-金属接触断路器极板偏置电极
机译: 制备铌酸锂薄膜的铌酸锂前驱体颗粒,其制备方法,制备铌酸锂薄膜的铌酸锂前驱体溶液和制备铌酸锂薄膜的方法
机译: 紫外线照明可减轻铌酸锂中的低温热电效应
机译:一种新颖的宽带铌酸锂电光调制器
机译:基于嵌入式芯光纤中级联长周期光栅的光纤中M-Z干涉仪
机译:热电效应期间Z切割锂铌酸锂的侧表面电气
机译:单边带薄膜铌酸锂(TFLN™)电光调制器,用于光纤上的射频
机译:使用电吸收和电光调制器的光学杂化无线光纤链路设计。
机译:Mach-Zehnder电光调制器的双向调制对光纤布拉格光栅传感器的新型RF询问
机译:一种长期频率稳定的基于铒光纤激光器的光学器件 具有腔内电光调制器的频率梳
机译:在低温下表征铌酸锂电光调制器