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公开/公告号CN1048356C
专利类型发明授权
公开/公告日2000-01-12
原文格式PDF
申请/专利权人 复旦大学;
申请/专利号CN96116401.8
发明设计人 侯晓远;陈溪滢;曹先安;朱炜;李喆深;丁训民;王迅;
申请日1996-06-19
分类号H01L21/314;
代理机构复旦大学专利事务所;
代理人姚静芳
地址 200433 上海市邯郸路220号
入库时间 2022-08-23 08:55:19
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2005-08-31
专利权的终止未缴年费专利权终止
2000-01-12
授权
1997-04-02
公开
1997-03-12
实质审查请求的生效
机译: 砷化镓砷化镓膜的生长方法
机译: 具有低阈值电流的横向结带激光器-砷化镓铝和砷化镓层在砷化镓衬底上外延生长
机译: 外延生长在砷化镓衬底上生长砷化镓层的方法
机译:砷化镓对砷化镓的表面钝化
机译:在砷化铟镓/磷化铟和砷化镓衬底上生长的自组装砷化铟纳米结构形成的有力研究
机译:利用砷化镓牺牲膜抑制砷化镓热解吸过程中的表面粗糙
机译:锑掺杂对低温生长砷化镓膜中纳米级砷簇和位错环的影响
机译:MBE在纳米图案化的衬底上生长高度有序的砷化铟/砷化镓和砷化铟镓/砷化镓量子点。
机译:出版商更正:氢化物气相外延生长砷化镓太阳能电池的速度超过300 µm h-1
机译:分子束外延生长的砷化镓/铝砷化镓和砷化镓铝铟/砷化铝铝的多量子阱和超晶格结构的光学性质。
机译:砷化镓的表面钝化