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隔离环基层、隔离环基层掩膜版及隔离环基层形成方法

摘要

一种隔离环基层,所述隔离环基层位于半导体基底上,所述隔离环基层包含隔离槽及填充所述隔离槽的隔离物,所述隔离环基层内包含至少两个隔离槽,所述隔离槽间隔分布于所述隔离环基层内。一种隔离环基层掩膜版,所述隔离环基层掩膜版包含至少一个隔离槽图形区,每一所述隔离槽图形区内包含至少两个隔离槽图形,各所述隔离槽图形间隔分布于所述隔离槽图形区内。一种隔离环基层形成方法,包括:提供半导体基底;在所述半导体基底上沉积介质层;利用隔离环基层掩膜版,刻蚀所述介质层,以在所述半导体基底上形成包含至少两个隔离槽的隔离环区;形成填充所述隔离槽的隔离物层。可减少隔离环内隔离槽间的连通。

著录项

  • 公开/公告号CN100561715C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-11-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN200710044352.7

  • 发明设计人 邓永平;

    申请日2007-07-27

  • 分类号H01L23/00(20060101);H01L21/76(20060101);G03F1/14(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人逯长明

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江路18号

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-12-28

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 23/00 变更前: 变更后:

    专利申请权、专利权的转移

  • 2009-11-18

    授权

    授权

  • 2009-03-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-01-28

    公开

    公开

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