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一种高陶瓷产率的无碳氮化硼先驱体及其合成方法

摘要

本发明公开了一种高陶瓷产率的无碳氮化硼先驱体及其合成方法,包括以下步骤:1.氨硼烷在强碱激发下阴离子聚合;2.氯化铵取代钠离子制备低聚氨硼烷;3.低聚氨硼烷与三氯环硼氮烷共聚制备无碳氮化硼先驱体。本发明可实现氮化硼先驱体高陶瓷产率,简化BN陶瓷制备过程,省去先驱体转化法传统工艺中的不熔化过程与脱碳过程,为制备高性能BN陶瓷奠定基础。

著录项

  • 公开/公告号CN113716581B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2023.03.14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国人民解放军国防科技大学;

    申请/专利号CN202111065991.8

  • 发明设计人 杜贻昂;王兵;王应德;

    申请日2021.09.13

  • 分类号C01B35/14;C04B35/583;

  • 代理机构长沙国科天河知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵杰

  • 地址 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号

  • 入库时间 2023-04-06 21:55:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-14

    授权

    发明专利权授予

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