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可重写非易失性存储器、电子设备及重写方法

摘要

本发明涉及一种可重写非易失性存储器,其包括:第一区域,存储有允许电子设备执行处理的处理程序,并具有在电子设备启动时被首先访问的第一特定部分;第二区域,存储有启动程序和重写程序。当对第一区域的存储内容进行擦除时,重写程序擦除第一区域的存储内容,以致第一特定部分的存储内容被最后擦除。当将存储内容写入第一区域时,重写程序将新的存储内容写入第一区域,以致第一特定部分的存储内容被首先写入。

著录项

  • 公开/公告号CN100573714C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-12-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 夏普株式会社;

    申请/专利号CN200510113722.9

  • 发明设计人 小河敦;藤井修二;

    申请日2005-10-14

  • 分类号G11C16/02(20060101);G06F9/06(20060101);G06F12/00(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人邵亚丽;李晓舒

  • 地址 日本大阪府

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-12-23

    授权

    授权

  • 2006-07-26

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-05-31

    公开

    公开

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