可升级的自对齐双浮动栅极存储单元阵列以及形成该阵列的方法

摘要

一种集成非易失性存储器电路是通过下述步骤形成的：首先在半导体衬底表面上生长一个薄介质层，随后通过在这个介质层上沉积一个导电材料层，例如掺杂的多晶硅，然后将该导电材料分隔为多行和多列独立的浮动栅极。衬底内的单元源极和漏极扩散区是穿过这些行连续地延伸的。沉积在浮动栅极的行之间的场介质提供了行之间的电绝缘。在这些行之间可以包括浅沟而不会中断沿着它们的长度方向的扩散区的导电性。在衬底上阵列和外围电路之间形成有一个介质填充的深沟，作为电绝缘体。包含了各种增大浮动栅极和控制栅极之间的场耦合区域的技术。其它技术增加控制栅极之间的介质的厚度，以减小它们之间的场耦合。另外的技术使用控制栅极提供浮动栅极之间的屏蔽。