双波长垂直腔面发射半导体激光器、光学设备及制备方法

摘要

本发明涉及半导体激光器领域，尤其涉及一种双波长垂直腔面发射半导体激光器、光学设备及制备方法，包括自上而下依次排列的输出耦合镜、泵浦光源、增透膜、短波长发光区、高对比度光栅、长波长发光区、布拉格反射镜、散热组件，增透膜设置在短波长发光区朝向所述输出耦合镜的一侧，布拉格反射镜设置在散热组件上，短波长发光区与长波长发光区均采用周期性多量子结构，短波长发光区与长波长发光区的周期性量子阱结构的量子阱组分不同，对短波长激光进行反馈，对长波长激光进行透射，实现了双波长垂直腔面发射半导体激光器双波长激射，并且高对比度光栅在相同反射率的情况下，减少器件体积，提高了激光器的输出性能。