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激活由行地址启动的字线段的方法和半导体存储器件

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摘要

一种用于激活基于提供给存储器的行地址而选择的半导体存储器的字线段的方法，包括：激活由行地址和命令类型选择的第一字线段；以及避免激活由行地址选择的第二字线段。还公开了相关器件。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-11-11

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 11/4063 授权公告日:20091209 终止日期:20140924 申请日:20040924

专利权的终止
2009-12-09

授权

授权
2006-07-05

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-06-15

公开

公开

1. 激活由行地址启动的字线段的方法和半导体存储器件 [P] . 中国专利： CN100568384C . 2009.12.09
2. 半导体存储器件的激活电路 [P] . 中国专利： CN100419911C . 2008.09.17
3. Methods of selectively activating word line segments enabled by row addresses and semiconductor memory devices having partial activation commands of word line [P] . 美国专利： US7187615B2 . 2007-03-06

机译：有选择地激活行地址使能的字线段的方法以及具有字线的部分激活命令的半导体存储器件
4. Methods of selectively activating word line segments enabled by row addresses and semiconductor memory devices having partial activation commands of word line [P] . 美国专利： US2005068840A1 . 2005-03-31

机译：有选择地激活行地址使能的字线段的方法以及具有字线的部分激活命令的半导体存储器件
5. A synchronous semiconductor memory device including a circuit for arbitrarily controlling the activation / deactivation timing of the word line [P] . 韩国专利： KR1002829750000B1 . 2001-03-02

机译：一种同步半导体存储器件，包括用于任意控制字线的激活/去激活定时的电路