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公开/公告号CN110415863B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.12.27
原文格式PDF
申请/专利权人 日东电工株式会社;
申请/专利号CN201910284583.8
发明设计人 松本圭祐;竹下翔也;安藤豪彦;
申请日2019.04.10
分类号H01B5/14;
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘新宇;李茂家
地址 日本大阪府
入库时间 2023-01-09 21:32:16
机译: 透明导电性层叠体及其制造方法,透明导电性薄膜的制造方法以及透明导电性薄膜卷的制造方法
机译: 导电性粒子,分散有可见光的粒子的导电体及其制造方法,透明导电性薄膜及其制造方法,使用该透明导电性薄膜的透明导电体以及红外线屏蔽体
机译: 透明导电性薄膜的化合物,使用该透明导电性薄膜的薄膜的形成方法及由此制造的透明导电性薄膜
机译:透明导电氧化物薄膜-in-De-In流动:玻璃上掺Nb的二氧化钛薄膜的透明导电性
机译:透明导电氧化物薄膜 - 在玻璃上Nb掺杂二氧化钛薄膜的透明导电性
机译:功能层涂覆的柔性薄膜上具有高导电性和透明性的表面光滑的银纳米线电极
机译:具有高透明导电性的防潮Ga掺杂ZnO薄膜,用于薄膜太阳能电池的窗口层
机译:通过MOCVD生长的高导电性和透明氧化镉薄膜:外延生长和掺杂效应
机译:具有出色的导电性和光学透明性的铟镉氧化物薄膜:用于优化透明导体的线索
机译:通过脉冲注入金属有机化学气相沉积沉积的透明导电CuCrO2薄膜:向上扩展的工艺技术,用于改善透明度/导电性权衡
机译:用原位FTIR-Ra光谱法测定紫外辐射对透明聚合物薄膜的影响。第一卷透明聚合物薄膜的光降解