公开/公告号CN100561667C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-11-18
原文格式PDF
申请/专利权人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
申请/专利号CN200610147811.X
发明设计人 杨光宇;
申请日2006-12-22
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人逯长明
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
入库时间 2022-08-23 09:03:29
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-06
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/02 授权公告日:20091118 终止日期:20181222 申请日:20061222
专利权的终止
2011-12-28
专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/02 变更前: 变更后:
专利申请权、专利权的转移
2011-12-28
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 变更前: 变更后:
专利申请权、专利权的转移
2009-11-18
授权
授权
2009-11-18
授权
授权
2008-08-20
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-08-20
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-06-25
公开
公开
2008-06-25
公开
公开
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机译: 使用光压印光刻技术制造双镶嵌结构的方法,用于双镶嵌结构的压印光刻模具的制造方法,用于可压印电介质的材料以及用于双镶嵌图案化的光压印光刻设备
机译: 使用光压印光刻技术制造双镶嵌结构的方法,用于双金属镶嵌结构的压印光刻模具的制造方法,用于压印电介质的材料以及用于双金属镶嵌图案化的光压印光刻设备
机译: 使用光压印光刻技术制造双镶嵌结构的方法,用于双金属镶嵌结构的压印光刻模具的制造方法,用于压印电介质的材料以及用于双金属镶嵌图案化的光压印光刻设备