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抗反射层的形成方法及其用于制造双镶嵌结构的方法

摘要

一种抗反射层的形成方法,包括:提供一半导体基底;向所述半导体基底喷出抗反射材料,并使所述半导体基底以第一速率旋转;使所述半导体基底以大于所述第一速率的第二速率旋转;使所述半导体基底以小于所述第二速率的第三速率旋转;使所述半导体基底以大于所述第三速率且小于第二速率的第四速率旋转;停止向所述半导体基底喷出抗反射材料;使所述半导体基底以大于所述第四速率且小于第二速率的第五速率旋转。本发明方法形成的抗反射层的表面具有较好的平坦度。

著录项

  • 公开/公告号CN100561667C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-11-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN200610147811.X

  • 发明设计人 杨光宇;

    申请日2006-12-22

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人逯长明

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江路18号

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-06

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/02 授权公告日:20091118 终止日期:20181222 申请日:20061222

    专利权的终止

  • 2011-12-28

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/02 变更前: 变更后:

    专利申请权、专利权的转移

  • 2011-12-28

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 变更前: 变更后:

    专利申请权、专利权的转移

  • 2009-11-18

    授权

    授权

  • 2009-11-18

    授权

    授权

  • 2008-08-20

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-08-20

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-06-25

    公开

    公开

  • 2008-06-25

    公开

    公开

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