一种半导体制造用气体分散部件表面痕量元素污染的测试方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域。一种半导体制造用气体分散部件表面痕量元素污染的测试方法，包括以下步骤：步骤一，采样区内放置一块干净的疏水性光滑平面，在其表面滴加适量的稀硝酸溶液，一定时间后回收溶液，并放置于一个洁净的空瓶内，用ICP‑MS测试溶液中元素含量；步骤二，采样区内放置一块干净的疏水性光滑平面，在其表面滴加适量的稀硝酸溶液，由于表面张力的作用会使得溶液聚成球形，接着取出待测的带通孔零部件样品轻轻放置于球形溶液上方，一定时间后将样品轻轻拿出，并回收溶液将其置于一个洁净的空瓶内，用ICP‑MS测试溶液中元素含量；步骤三，取两次测试结果的差值，通过公式计算最终得到待测工件的痕量元素污染含量。