制备晶面择优取向氧化铟锡-氧化铟薄膜热电偶的方法

摘要

本发明涉及制备晶面择优取向氧化铟锡－氧化铟薄膜热电偶的方法，所述金属表面为曲面，包括如下步骤：步骤1、通过物理气相沉积工艺在金属工件表面沉积钇稳定的氧化锆(YSZ)结合涂层；步骤2、通过磁控溅射工艺在结合涂层上制备晶面择优取向的薄膜热电偶；步骤3、具有所述薄膜热电偶的金属工件进行热处理；步骤4、通过磁控溅射工艺在结合涂层上制备保护层。本发明的薄膜热电偶以牢固的结合涂层为沉积界面，与高温合金叶片的过渡界面较少，应力界面少，不容易脱落，且厚度薄，测温精度高。同时，能够在未抛光的结合涂层曲面上，克服应力，突破传统平面基底的限制，制备具有晶面择优取向的薄膜热电偶，使得薄膜热电偶具有较高的稳定性。