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制备晶面择优取向氧化铟锡-氧化铟锌薄膜热电偶的方法

摘要

本发明涉及制备晶面择优取向氧化铟锡-氧化铟锌薄膜热电偶的方法,所述金属表面为曲面,包括如下步骤:步骤1、通过物理气相沉积工艺在金属工件表面沉积钇稳定的氧化锆(YSZ)结合涂层,将钇稳定的氧化锆(YSZ)粉末和Al2O3粉末通过物理气相沉积工艺沉积到金属工件表面,沉积厚度为不超过3μm;所述Al2O3粉末与钇稳定的氧化锆(YSZ)粉末的摩尔百分比在0.03以上,保证所述结合涂层为绝缘涂层;步骤2、通过磁控溅射工艺在结合涂层上制备晶面择优取向的薄膜热电偶,所述薄膜热电偶包括两个热电臂和两个电极;热电臂之一为氧化铟锡靶沉积而成;热电臂另一为氧化铟锌靶沉积而成,所述电极为铂靶和铱靶共溅射沉积而成;步骤3、具有所述薄膜热电偶的金属工件进行热处理,以释放材料界面之间的应力;步骤4、通过磁控溅射工艺在结合涂层上制备保护层,所述保护层为Al2O3材质,使得保护层覆盖所述的两个热电臂。本发明采用在高温合金基底上沉积一层绝缘的结合涂层,后在结合涂层上直接沉积具有择优晶面取向的氧化铟锡和氧化铟薄膜热电偶,实现在金属表面快速沉积具有择优晶面取向的薄膜热电偶,对薄膜热电偶的稳定测温具有重要意义。

著录项

  • 公开/公告号CN113174569A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国航发北京航空材料研究院;

    申请/专利号CN202110423947.3

  • 申请日2021-04-20

  • 分类号C23C14/30(20060101);C23C14/02(20060101);C23C14/08(20060101);C23C14/16(20060101);C23C14/35(20060101);C23C14/58(20060101);F01D5/28(20060101);G01K7/02(20210101);

  • 代理机构11008 中国航空专利中心;

  • 代理人仉宇

  • 地址 100095 北京市海淀区北京市81号信箱科技发展部

  • 入库时间 2023-06-19 12:00:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-11-22

    授权

    发明专利权授予

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