半导体器件的制造方法,半导体器件的评估方法和半导体器件

摘要

与TFT形成在相同衬底上的半导体元件，包括具有杂质区的岛状半导体膜；形成在岛状半导体膜上的绝缘膜；通过在第一方向(沟道宽度方向)上间隔开距离a而在绝缘膜上分为多个部分的电极；形成为与电极侧壁接触的具有宽度b的绝缘体和形成在被分为多个部分的电极之间的区域中的绝缘体；形成在杂质区一部分表面上的硅化物层；和通过测量半导体元件的半导体膜的阻抗来评估TFT的特性。