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公开/公告号CN100555660C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-10-28
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN200610127920.5
发明设计人 王晓亮;马志勇;胡国新;肖红领;冉军学;王翠梅;罗卫军;
申请日2006-09-01
分类号H01L29/778(20060101);H01L21/335(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:03:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-10-28
授权
2008-04-30
实质审查的生效
2008-03-05
公开
机译: 功率放大器中使用的场效应晶体管由双重异质结构组成,该异质结构由氮化镓制成的沟道层,覆盖层和带隙比氮化镓高的背面势垒层组成
机译: 氮化镓膜的制造方法及氮化物基异质结场效应晶体管的制造方法
机译: 具有包括高浓度杂质区的宽带隙势垒层的氮化物半导体异质结场效应晶体管
机译:场镀和后置栅极氮化镓基异质结场效应晶体管的仿真
机译:宽带隙III-V材料的光化学气相沉积:光化学产生的自由基对氮化铝和氮化镓薄膜生长的影响
机译:非晶宽带隙氮化物和硅的异质结
机译:基于宽带隙氮化镓组合的共振隧道异质结构中电子传输的建模
机译:基于微波的氮化铝镓/氮化镓基异质结场效应晶体管的设计与制造。
机译:新型2D结构材料:碳镓氮化物(CC-GaN)和硼-氮化镓(BN-GaN)异质结构—通过密度函数进行材料设计理论
机译:通过显微拉曼成像利用两个激光束同时照射,通过微观拉曼成像分析氮化镓 - 氮化镓/氮化镓异质结构中的局部热能输送
机译:辐射对氮化铝镓/氮化镓异质结电性能的影响;博士论文