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宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法

摘要

一种宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构,包括:一衬底;一高温氮化铝成核层,该高温氮化铝成核层制作在衬底的上面;一铝(铟)镓氮超晶格缓冲层,该铝(铟)镓氮超晶格缓冲层制作在高温氮化铝成核层的上面;一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层,该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在铝(铟)镓氮超晶格缓冲层的上面;一非有意掺杂高迁移率氮化镓层,该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面;一氮化铝插入层,该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面;一非有意掺杂或n型掺杂铝(铟)镓氮层,该铝(铟)镓氮层制作在氮化铝插入层的上面。

著录项

  • 公开/公告号CN100555660C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-10-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN200610127920.5

  • 申请日2006-09-01

  • 分类号H01L29/778(20060101);H01L21/335(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汤保平

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-10-28

    授权

    授权

  • 2008-04-30

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-03-05

    公开

    公开

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