公开/公告号CN113087532B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.10.14
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN202110238727.3
申请日2021.03.04
分类号B05D1/02;B05D1/00;B05D7/24;B05D7/00;H01F1/14;H01F41/24;C04B35/622;C04B35/26;
代理机构电子科技大学专利中心;
代理人吴姗霖
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-11-28 17:50:01
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-14
授权
发明专利权授予
机译: 铋铁氧体薄膜材料,在低温下在硅衬底上一体地制备铋铁氧体薄膜的方法,以及应用
机译: 铁氧体薄膜形成用组合物材料,铁氧体薄膜的形成方法以及使用其形成的铁氧体薄膜
机译: 铁氧体薄膜形成用组合物材料,铁氧体薄膜的形成方法以及使用其形成的铁氧体薄膜