用于增强的开状态和关状态性能的带有阈值电压切换的基于铁电的场效应晶体管

摘要

本文中公开了对于用于增强RF开关晶体管开状态和关状态性能的带有阈值电压（VT）切换的基于铁电的场效应晶体管（FET）的技术。采用能够在两种铁电状态之间切换的铁电栅极电介质层能够实现在晶体管关状态（VT,hi）期间的更高VT和在晶体管开状态（VT,lo）期间的更低VT。相应地，晶体管开状态电阻（Ron）能够由于可用的相对高的栅极过压（Vg,on‑VT,lo）而被保持，同时由于高VT,hi‑Vg,off值而在晶体管关状态中仍操纵相对高的最大RF功率。因此，RF开关晶体管的Ron能够被改进而不牺牲最大RF功率，和/或反之亦然，最大RF功率能够被改进而不牺牲Ron。铁电层（例如，包括HfxZryO）能够在晶体管栅极电介质层与栅极电极之间被形成以实现此类益处。