低极化效应的氮化镓基发光二极管芯片用外延材料及制法

摘要

一种低极化效应GaN发光二极管外延用材料及制法：在蓝宝石或SiC衬底上用半导体器件沉积技术依次生长由GaN缓冲层和n型GaN层组成的n型InGaAlN层、由InAlGaN多量子阱结构极化调控层和InAlGaN多量子结构发光层组成的低极化效应有源层和p型InGaAlN层；该方法保留单色光发光二极管器件制做工艺，仅对氮化镓基发光材料的生长过程改进，增加InAlGaN多量子阱结构极化调控层，使量子阱有源区的能带弯曲产生反方向弯曲，降低量子阱有源区极化效应，不增加器件复杂性，又增加GaN基发光二极管内量子效率，克服常规GaN基发光二极管的强极化效应导致低内量子效率缺点，发光二极管整体性能得以提高。