光电二极管中带有多种掺杂物植入的图像传感器像素

摘要

本发明提供了一种有源像素，其采用了一种由多种N型掺杂物形成的光电二极管。该像素包括形成在半导体基体内的光电二极管，该光电二极管为形成在P型区域内的N^-区，该N^-区是通过植入掺杂物砷和掺杂物磷而形成。该像素可进一步包括在光电二极管与漂浮节点之间的传输晶体管，其选择性地将信号从光电二极管传输至漂浮节点。本发明的像素还可以包括被漂浮节点所控制的放大晶体管。