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公开/公告号CN100539075C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-09-09
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN200710138378.8
发明设计人 余振华;卢永诚;郑培仁;周家政;林耕竹;柯忠祁;包天一;郑双铭;
申请日2007-08-01
分类号H01L21/768(20060101);H01L21/31(20060101);
代理机构72003 隆天国际知识产权代理有限公司;
代理人陈晨
地址 中国台湾新竹市
入库时间 2022-08-23 09:03:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-09-09
授权
2008-09-17
实质审查的生效
2008-07-23
公开
机译: 介电层,包括介电层的半导体存储器以及制造介电层和半导体存储器的方法
机译: 具有在半导体装置上方的层间介电层内的接触层空气间隙的半导体结构,以及利用自组装方法形成半导体结构的方法
机译: 制造包括半导体存储器的电子器件,该半导体存储器包括层间介电层,该层间介电层具有在堆叠结构上的第一和第二氮化物层
机译:金属介电半导体结构中介电层上的卡西米尔力压力
机译:基于锗的介电半导体结构的电物理性质,其表面上具有其单体成分的多核苷酸介电层
机译:AlGaN / GaN金属氧化物半导体结构中Al基介电层与AIGaN层之间界面反应的设计和控制
机译:氦等离子体诱导的低介电常数介电层表面修饰的双层结构
机译:互补金属氧化物半导体兼容器件的化学机械抛光和旋涂介电层间介电层的研究
机译:以Al2O3为介电层的InN基金属-绝缘体-半导体结构的漏电流机理
机译:在包括非氮化镓柱的基板上制造氮化镓半导体层的方法,以及由此制造的氮化镓半导体结构。