LaB6场发射阵列薄膜阴极的制备方法及应用

摘要

本发明公开了一种LaB6场发射阵列薄膜阴极的制备方法及应用。制备方法包括：采用LaB6和B粉作为原料，按配比混料得到混合粉末；将混合粉末装入石墨模具，采用分段式升温‑保温‑分段式降温及线性加压‑保压方式热压烧结，得到富硼LaB6靶材；利用所述富硼LaB6靶材作为溅射源采用直流磁控溅射技术在钼尖锥或硅尖锥阵列基体表面于Ar气氛下制备得到LaB6场发射阵列薄膜阴极。本发明可实现大面积、均匀、结构致密、结晶良好，且满足化学计量比的LaB6场发射阵列薄膜阴极的制备；作为场发射阵列薄膜阴极电子源应用时，具有功函低、开启电场小、功耗低等优点，可提高场发射阵列阴极的抗离子轰击能力及场致发射稳定性。