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一种基于汉明码实现数据纠错的存储器电路

摘要

一种基于汉明码实现数据纠错的存储器电路和操作方法,该电路包括:编码模块和解码模块;该编码模块包括信息码输入单元、监督码产生单元、监督码缓存单元及信息码和监督码混合单元;解码模块包括分离单元、信息码输入缓存单元、校验单元及纠错单元。分离单元接收从存储器中取出一混合信息码组,将混合信息码分解成M位的第二信息码组和N位的第二监督码组。本发明的汉明码纠错方式,不仅可以确保数据在存储器间传输时的一致性,还可以应用于对容错要求很高的场所,特别是偶然出错的存储器,大幅度提高稳定性,更是能基于电路纠错实现高可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN109766213B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022.09.06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海微阱电子科技有限公司;

    申请/专利号CN201811622682.4

  • 发明设计人 李林;温建新;

    申请日2018.12.28

  • 分类号G06F11/10;

  • 代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人陶金龙;张磊

  • 地址 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层

  • 入库时间 2022-09-26 23:19:26

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