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半导体器件的凸点结构和制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件和制造该器件的方法,该器件使用凸点结构,其包括多个第一方向上沿衬底排列的凸点结构。每个凸点结构在第一方向上具有的宽度大于相继排列的凸点结构之间的间距,且至少一个凸点结构具有面对第一方向的非导电侧壁。

著录项

  • 公开/公告号CN100527398C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-08-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200510064958.8

  • 发明设计人 权容焕;李忠善;姜思尹;

    申请日2005-04-12

  • 分类号H01L23/48(20060101);H01L23/52(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/44(20060101);H01L21/768(20060101);H01L21/60(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陶凤波;侯宇

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-06-01

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/48 授权公告日:20090812 终止日期:20150412 申请日:20050412

    专利权的终止

  • 2009-08-12

    授权

    授权

  • 2007-06-06

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-10-19

    公开

    公开

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