几何形状允许频繁体接触的MOSFET器件

摘要

提供了一种MOSFET器件设计，其有效解决了由器件固有的寄生双极型晶体管所引起的问题。MOSFET器件包括：(a)体区；(b)多个体接触区；(c)多个源区；(d)多个漏区；及(d)栅区。在俯视图中，源区和漏区在正交行列内排列，且至少部分体接触区以四个源区和漏区为边界，优选为以两个源区和两个漏区为边界。