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沉积金属、形成金属化层和改善CMP过程的均匀性的方法

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摘要

在一种将金属电镀到包含小直径通孔和大直径沟槽(205)的介电层上的新方法中，通过，例如，至少在介电层(203)的未图案化区域(206)上降低电镀浴中的平滑剂数量而产生表面粗糙程度，以增强后续化学机械抛光(CMP)过程中材料去除的均匀性。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-12-06

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/768 授权公告日:20090930 终止日期:20181222 申请日:20031222

专利权的终止
2010-09-01

专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/768 变更前: 变更后: 登记生效日:20100722 申请日:20031222

专利申请权、专利权的转移
2010-09-01

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/768 变更前: 变更后: 登记生效日:20100722 申请日:20031222

专利申请权、专利权的转移
2009-09-30

授权

授权
2009-09-30

授权

授权
2006-07-05

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-07-05

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-05-10

公开

公开
2006-05-10

公开

公开

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1. 沉积金属、形成金属化层和改善CMP过程的均匀性的方法 [P] . 中国专利： CN100546014C . 2009.09.30
2. 在铜籽晶层上电沉积金以形成金金属化结构的方法 [P] . 中国专利： CN105448751B . 2018.10.19
3. Method for deposition of a layer of conductive material, processes of metalizacao and formation of a layer of barrier and apparatus used in the process of deposition [P] . BR9201351A . 1992-12-01

机译：沉积导电材料层的方法，金属化处理和形成势垒层的方法以及用于沉积过程中的设备
4. METHOD OF REDUCING NON-UNIFORMITIES DURING CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF EXCESS METAL IN A METALLIZATION LEVEL OF MICROSTRUCTURE DEVICES [P] . 美国专利： US2008206994A1 . 2008-08-28

机译：减少微观结构金属化层中过量金属化学机械抛光过程中不均匀性的方法
5. Metallization process of the plastics materials and celluloses, natural or synthetic by the preliminary deposit of an adhesive layer of a metal sulfide, and objects metallized by this process [P] . 法国专利： FR75705E . 1961-08-04

机译：通过预先沉积金属硫化物的粘合剂层而天然或合成的塑料和纤维素材料的金属化过程，以及通过该过程金属化的物体