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半导体器件中的透明非晶碳结构

摘要

形成透明非晶碳层。该透明非晶碳层具有低吸收系数以致非晶碳在可见光中是透明的。该透明非晶碳层可以使用于半导体器件中用于不同的目的。该透明非晶碳层可以包括在半导体器件的最终结构中。该透明非晶碳层还可在半导体器件的制造期间的蚀刻处理中用作掩模。

著录项

  • 公开/公告号CN100530561C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-08-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 微米技术有限公司;

    申请/专利号CN200480032967.2

  • 发明设计人 Z·殷;W·李;

    申请日2004-09-08

  • 分类号H01L21/314(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人杨凯;梁永

  • 地址 美国爱达荷州

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-08-19

    授权

    授权

  • 2007-02-07

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-12-13

    公开

    公开

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