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基于苯并二噻唑缺电子单元的宽带隙聚合物给体材料及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种基于苯并二噻唑缺电子单元的宽带隙聚合物给体材料及其制备方法和应用,属于有机光电技术领域,本发明通过使用垂直于聚合物主链的苯并[1,2‑d:4,5‑d′]二噻唑为受体单元,与一系列给体单元共聚,获得一批高性能的宽带隙聚合物给体材料;本发明将其应用于制备成聚合物有机太阳能电池,在不做深入优化的情况下,即可获得0.85V的的开路电压,25.86mA cm‑2的短路电流密度,67.4%的填充因子以及14.86%的光电转换效率。这类宽带隙聚合物给体材料具有结晶性好,吸收和迁移率高的特点,在有机太阳能电池中具有实际的应用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN113248693B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-07-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 四川大学;

    申请/专利号CN202110571621.5

  • 发明设计人 彭强;徐小鹏;段玉伟;

    申请日2021-05-25

  • 分类号C08G61/12;H01L51/46;

  • 代理机构北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人何凡

  • 地址 610041 四川省成都市武侯区一环路南一段24号

  • 入库时间 2022-09-06 00:36:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-22

    授权

    发明专利权授予

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