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半导体激光器温度特性参数即升即测测试装置及方法

摘要

半导体激光器温度特性参数即升即测测试装置及方法属于激光器性能测试技术领域。已知技术之装置存在的不足主要是结构复杂。而其测试方法存在的不足是,在测试半导体激光器的温度特性时,需要对温度实施控制。本发明之装置仅由保温箱、导热媒质、加热器、待测器件、探测部件以及温度传感器组成。本发明之方法为,加热器开始持续加热,导热媒质自由升温并给半导体激光器加热,温度传感器随时检测半导体激光器的温度,探测部件时刻探测半导体激光器的温度特性,直到完成在整个温度变化范围内的测试,加热器停止加热,检测过程进入自由降温阶段,在测试过程中,在每一时刻,都取得一组温度——特性参数数据对。本发明可应用于半导体激光器教学、研究和制造领域。

著录项

  • 公开/公告号CN100545665C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-09-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长春理工大学;

    申请/专利号CN200610104149.X

  • 申请日2006-08-02

  • 分类号G01R31/26(20060101);H01S5/00(20060101);H01L21/66(20060101);

  • 代理机构11011 中国兵器工业集团公司专利中心;

  • 代理人曲博

  • 地址 130022 吉林省长春市朝阳区卫星路7089号

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-10-12

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R 31/26 授权公告日:20090930 终止日期:20100802 申请日:20060802

    专利权的终止

  • 2009-09-30

    授权

    授权

  • 2007-02-28

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-01-03

    公开

    公开

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