首页> 中国专利> 一种高锆含量铅系复合反铁电薄膜的低温制备方法

一种高锆含量铅系复合反铁电薄膜的低温制备方法

摘要

本发明涉及一种高锆含量铅系复合反铁电薄膜的制备方法技术领域。本发明所述的高锆含量铅系复合反铁电薄膜的低温制备方法,采用溶胶凝胶法配制前驱溶液,采用旋转涂覆的方式在LaNiO3/SiO2/Si或LaNiO3/Si基片上涂覆凝胶膜;然后将凝胶膜在450℃-500℃放置5~20分钟,取出后冷却,再涂覆下一层,循环往复直到获得所需厚度的薄膜;再将涂覆好的薄膜在500℃下处理,最后溅射上电极。本发明利用溶胶凝胶的方法,以LaNiO3/SiO2/Si或LaNiO3/Si为基底,使凝胶膜在钙钛矿结构的LaNiO3电极材料的诱导下在450℃下结晶,再在500℃下长大,使薄膜具有良好的电学性能。

著录项

  • 公开/公告号CN100522885C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-08-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 同济大学;

    申请/专利号CN200710044210.0

  • 发明设计人 翟继卫;郝喜红;

    申请日2007-07-26

  • 分类号C04B41/50(20060101);C23C14/34(20060101);

  • 代理机构31219 上海光华专利事务所;

  • 代理人余明伟;许亦琳

  • 地址 200092 上海市杨浦区四平路1239号

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-09-18

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B 41/50 授权公告日:20090805 终止日期:20120726 申请日:20070726

    专利权的终止

  • 2009-08-05

    授权

    授权

  • 2008-02-27

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-01-09

    公开

    公开

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