法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-05-22
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01G 25/02 授权公告日:20090624 终止日期:20120403 申请日:20070403
专利权的终止
2009-06-24
授权
授权
2007-12-05
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-10-10
公开
公开
机译: 高纯锆或HA,溅射由高纯锆或AND和使用该靶制成的薄膜的靶,以及高纯锆或HA的生产方法以及高纯锆或HA的粉体的制备方法
机译: 高纯锆或HA,溅射由高纯锆或AND和使用该靶制成的薄膜的靶,以及高纯锆或HA的生产方法以及高纯锆或HA的粉体的制备方法
机译: 高纯锆或HA,溅射由高纯锆或AND和使用该靶制成的薄膜的靶,以及高纯锆或HA的生产方法以及高纯锆或HA的粉体的制备方法