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公开/公告号CN100527277C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-08-12
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN200510108634.X
发明设计人 李城秀;林瀛湖;赵显哲;蔡东赫;
申请日2005-10-10
分类号G11C16/06(20060101);G06F12/00(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人吕晓章;李晓舒
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 09:02:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-08-12
授权
2006-07-26
实质审查的生效
2006-05-31
公开
机译: 非易失性存储器中的页面缓存
机译: [具有页面缓存的非易失性存储器单元]
机译: 半导体器件,非易失性半导体存储器,包括多个半导体器件或非易失性半导体存储器的系统,包括半导体器件或非易失性半导体存储器的电子卡以及可使用该电子卡的电子器件
机译:从电子电路和非易失性存储器(中)的技术趋势的角度看半导体存储器市场的变化-为实现固态磁盘而即时启动个人计算机
机译:从电子电路和非易失性存储器的技术趋势的角度看半导体存储器市场的变化-借助固态磁盘即时启动个人计算机
机译:从电子电路和非易失性存储器技术趋势的角度看半导体存储器市场的变化(上图)-以固态磁盘为目标的个人计算机的即时启动
机译:具有页面缓存的基于DNS的分布式Web服务器系统的负载平衡
机译:带有栅状电容器的非易失性SONOS半导体存储器的表征和建模
机译:严格评估处理器DVS和非易失性存储器分配的实时任务可调度性
机译:低压,非易失性,复合半导体存储器单元的室温操作
机译:用于快速,可扩展,非易失性半导体存储器的凤头隧道障碍(主题3)