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页面缓存器和包括页面缓存器的非易失性半导体存储器

摘要

在一方面,提供了一种可在编程模式和读出模式中操作的非易失性存储器设备。该存储器设备包括具有多个非易失性存储器单元、多条字线、和多条位线的存储器单元阵列。该存储器设备还包括用于输出从存储器阵列的位线读出的数据的内部数据输出线、和可操作性地连接在存储器单元阵列的位线和内部数据输出线之间的页面缓存器。该页面缓存器包括选择性地连接到位线的检测节点、具有选择性地连接到检测节点的锁存节点的锁存电路,在编程模式和读出模式中设置锁存节点的逻辑电压的锁存输入路径、和从锁存输入路径分离并且根据锁存节点的逻辑电压设置内部数据输出线的逻辑电压的锁存输出路径。

著录项

  • 公开/公告号CN100527277C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-08-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200510108634.X

  • 发明设计人 李城秀;林瀛湖;赵显哲;蔡东赫;

    申请日2005-10-10

  • 分类号G11C16/06(20060101);G06F12/00(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人吕晓章;李晓舒

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-08-12

    授权

    授权

  • 2006-07-26

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-05-31

    公开

    公开

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