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一种在COB－DRAM制造中提高SAC刻蚀制程容许度的方法

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摘要

本发明涉及提高自对准接触(SAC)刻蚀容许度的COB-DARM的制作方法。该方法通过氮化硅间隔层形成以后，在该间隔层上形成一多晶硅保护层，使其在SAC刻蚀中保护氮化硅间隔层，减少肩部氮化硅的损失，因而提高SAC刻蚀的制程容许度，避免了完成后续制程后常出现的SAC孔中的导体与位线间的桥接问题。

著录项

公开/公告号CN100520596C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-07-29

原文格式PDF
申请/专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
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申请/专利号CN200610026587.9
发明设计人颜进甫;肖德元;
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申请日2006-05-16
分类号G03F7/20(20060101);G03F7/26(20060101);H01L21/00(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人李勇
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
入库时间 2022-08-23 09:02:46

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-05-03

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 7/20 授权公告日:20090729 终止日期:20180516 申请日:20060516

专利权的终止
2012-01-11

专利权的转移 IPC(主分类):G03F7/20 变更前: 变更后:

专利申请权、专利权的转移
2012-01-11

专利权的转移 IPC(主分类):G03F 7/20 变更前: 变更后:

专利申请权、专利权的转移
2009-07-29

授权

授权
2009-07-29

授权

授权
2008-01-16

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-01-16

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-11-21

公开

公开
2007-11-21

公开

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