一种氮－氧－氮SAC结构的COB－DRAM位线制作方法

摘要

本发明涉及COB-DRAM的位线制作方法，特别是具有氮-氧-氮硬掩模的SAC结构的位线的制作方法。该方法的硬掩模采用氮-氧-氮型，即在氮化硅硬掩模中插入一氧化铝层，此插入的氧化铝层以取代相同厚度的氮化硅硬掩模，在同样的SAC刻蚀过程中，氧化硅对氧化铝的选择性高于氧化硅对氮化硅的选择性，因此该方法降低了在SAC刻蚀过程中氮化硅硬掩模的损失，提高SAC刻蚀过程的工艺容许度，避免产生位线金属与SAC孔中填充的多晶硅之间的桥接问题。