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DDR2操作模式中附加延迟的高效率寄存器

摘要

一种用于符合DDR2标准的集成电路存储器的附加延迟电路,其包括一个指定给各种附加延迟情况下的半正反寄存器。生成一个独特的时脉以控制寄存器串链中的每一位元。在寄存器串链中需要充分的寄存位元来支援指定的最高附加延迟。对于小于最大值的延迟设定,对指定给选择的延迟上的位元的时脉予以致能,因此数据在未给予时脉下传送。对于附加延迟为零的情况,提供一个独立的旁路。位址和指令资讯都由附加延迟延时串链进行延迟。一旦以适当数目的周期延迟,位址资讯会停留在该状态,直到需要一个新状态为止。一旦达到适当的延迟点,指令资讯保持有效一个周期。一个重置电路被提供以重置指令信号。

著录项

  • 公开/公告号CN100524514C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-08-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 茂德科技股份有限公司;

    申请/专利号CN200510089822.2

  • 发明设计人 强艾伦佛埃;克莱格巴奈特;

    申请日2005-08-05

  • 分类号

  • 代理机构北京中原华和知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人寿宁

  • 地址 中国台湾

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-08-05

    授权

    授权

  • 2006-10-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-09-06

    公开

    公开

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