公开/公告号CN100524530C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-08-05
原文格式PDF
申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;
申请/专利号CN200610145659.1
发明设计人 吴昭谊;
申请日2006-11-23
分类号G11C16/34(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址 台湾省新竹科学工业园区
入库时间 2022-08-23 09:02:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-08-05
授权
授权
2007-08-29
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-07-04
公开
公开
机译: 非易失性存储器,其根据临界值,存储器控制单元,存储器控制系统和控制非易失性存储器的比较结果再次记录了存储器细胞的数据
机译: 擦除存储器单元后,将闪存单元中的阈值电压收敛到闪存存储器中,并且闪存门阵列具有按相同方法控制电源的方法,即门电压和漏极电压用于聚合存储单元的阈值电压
机译: 控制存储单元的电压阈值(Vt)分布的脉冲宽度收敛方法