多层调制掺杂的ZnO－MgZnO透明导电氧化物薄膜

摘要

具有多层调制掺杂的透明导电氧化物薄膜，属于一种半导体器件的结构设计。在ZnO缓冲层B1后增加周期性重复的调制掺杂层(包括Mg_xZn_1-xO:Al掺杂层D、Mg_xZn_1-xO阻挡层B、ZnO:O_y调制层M)。其缓冲层B1厚度10～20nm，掺杂层D和调制层M厚度均为2～6nm，阻挡层B厚度1～3nm；Al掺杂浓度小于5%，Mg含量10～33%。该多层调制掺杂结构不损失半导体器件的光学透过率，能解决透明导电薄膜中杂质离子散射问题，增加载流子霍耳迁移率，极大地改善器件的电学性质。有利于光电转换器件(如太阳电池)向大面积、高效率发展，也有利于透明电子器件(如液晶显示器)向高性能发展。